抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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送信機の低コスト化のためには,安価な材料を用いた広帯域で小型な増幅器が求められる。これまでに,高出力なGaN増幅器がレーダや無線通信の分野で多く用いられてきた。GaN増幅器の多くはSiCにGaNをエピタキシャル成長したGaN-on-SiC基板を用いたMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)増幅器であるが,SiC基板が高価であるためにコストが高くなる傾向がある。そこで近年,安価で大口径なシリコン基板を用いたGaN-on-Si増幅器が注目され始めている。本研究においては,GaN-on-Si増幅器のさらなる低コスト化に向けて,広帯域かつ小型なGaN-on-Si MMIC増幅器の設計を目的とした。設計,試作および評価行ったところ,チップサイズ3.92mm
2で,8.5-10.5GHzにおいて出力電力34.3dBm以上,利得28.3dB以上,最大電力付加効率28%という結果を得た。3W級では世界最小のMMIC増幅器を実現した。(著者抄録)