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J-GLOBAL ID：201702231291414452   整理番号：17A1777691

ZnGa_2O_4/N rGOヘテロ構造の合成と強化された光触媒水素発生活性【Powered by NICT】

Preparation and enhanced photocatalytic hydrogen-evolution activity of ZnGa₂O₄/N-rGO heterostructures

著者 (3件)： Bai X. P. (Key Laboratory for Colloid and Interface Chemistry of State Educating Ministry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Shandong University, Jinan 250100, China. [e-mail]) ,  Zhao X. ,  Fan W. L.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 84  ページ： 53145-53156  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体グラフェン複合材料は水素発生のための光触媒として広く報告されている。触媒担体の半導体の構造,成分の間の密接な界面接触,および高い電気伝導率から,半導体-グラフェン複合光触媒の性能に影響する。界面活性剤クエン酸三ナトリウムの量を調整することによるサイズ制御されたZnGa_2O_4ナノスフェアを合成し,従来の効率的な水熱法によりNドープ還元グラフェン酸化物(N rGO)シートの二次元プラットフォーム,ZnGa_2O_4ナノスフェアおよびN-rGOシート間の密接な界面接触を達成した上でのサイズ-制御ZnGa_2O_4ナノスフェアを構築した。得られた光触媒を粉末X線回折,Raman分光法,透過型電子顕微鏡,X線光電子分光法,および紫外可視拡散反射分光法によって特性化した。H_2進化のための調製した試料の光触媒活性は,犠牲剤として亜硫酸ナトリウムを用いて試験した。光触媒水素生成速度に及ぼすZnGa_2O_4試料の結晶化度,形態,および比表面積の影響を調べた。上述の三つの要因を考慮して,ZnGa_2O_4球の直径は230nmに達したときH_2生産の速度が最高であった。純ZnGa_2O_4のそれと比較した場合,ZnGa_2O_4/rGOとZnGa_2O_4/N-rGO複合材料のH_2進化の速度は劇的に改善した。N-rGO中の窒素原子がN-rGOとZnGa_2O_4の間の密接な界面接触を形成するために金属ナノ粒子を固定できるのでZnGa_2O_4/N-rGOはZnGa_2O_4/rGOよりも高い光触媒活性を有し,N-rGOはrGOよりも高い電気伝導率を有し,ZnGa_2O_4/N-rGO複合材料におけるより有効な電荷分離と移動をもたらした。本研究は光触媒活性を向上させるためのより効率的なグラフェン系ナノ複合体光触媒を設計する有望な方法を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  水熱合成 ,  ナノ複合材料 ,  Raman分光法 ,  グラフェン ,  半導体 ,  電気伝導率 ,  X線光電子スペクトル ,  *光触媒 ,  X線光電子分光法 ,  界面
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  酸化グラフェン ,  ナノスフェア ,  *水素発生 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： RGO ,  ヘテロ構造 ,  強化 ,  光触媒 ,  水素発生 ,  活性