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J-GLOBAL ID：201702231311705858   整理番号：17A0544824

Josephson状態から量子ドット状態へのNb/InAsナノワイヤ近接接合

Nb/InAs nanowire proximity junctions from Josephson to quantum dot regimes

著者 (4件)： GHARAVI Kaveh (Univ. Waterloo, Ontario, CAN) ,  HOLLOWAY Gregory W (Univ. Waterloo, Ontario, CAN) ,  LAPIERRE Ray R (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  BAUGH Jonathan (Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 8  ページ： 085202,1-10  発行年： 2017年02月24日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nbリードで接触したInAsナノワイヤを用いて作製したJosephson接合の超伝導近接効果を実験により探針した。接合のチャンネル長は約200nmで,低温で推定した電子位相コヒーレンス長(約250~350nm)よりも短かったが,推定した弾性散乱超の3~5倍長かった。接触透過率は約0.7であった。5種類の素子のデータを示した。Josephson状態における比較的大きな超伝導電流とNb/InAs接触透過率は有望な結果であり,InAsナノワイヤに基づく接合が比較的高い磁場における近接効果とMajorana物理学の研究の良好な候補であることを示唆した。臨界電流と軸方向磁場の関係を説明するための幾つかの仮説を示した。

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  半導体材料 ,  *Josephson接合 ,  ニオブ ,  *ナノワイヤ ,  *近接効果 ,  超伝導 ,  Andreev反射 ,  量子ドット ,  臨界電流
準シソーラス用語： 超伝導電流

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット ,  Nb ,  InAs ,  ナノワイヤ