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J-GLOBAL ID：201702231378587352   整理番号：17A0943174

オンチップグラフェンプラズモン相互接続の通信限界【Powered by NICT】

Communication limits of on-chip graphene plasmonic interconnects

著者 (1件)： Rakheja Shaloo (Department Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, 11201, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISQED  ページ： 45-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,多層グラフェン(MLG)スタックを用いたプラズモン単一導波路(SWG)と平行平板導波路(PPWG)相互接続の物理学ベースの性能モデルを開発した。SWGは横磁気プラズモンモードを支持するが,PPWG構造における,準TEMモードが固有モードとして出現した。Kubo形式から得られたMLGの複雑な動的伝導率を用いて,テラヘルツ周波数(<2 THz)までのプラズモンモードの輸送特性に及ぼす層,静電遮蔽長,および電気化学的電位の数の影響を定量化した。プラズモン相互接続を伝搬するTHz Gaussパルスの周波数依存歪と減衰の解析モデルを導出した。PPWG相互接続は,分散のない透過近く提供するが,それらはPPWG相互接続のための高エネルギー当たりのビットを意味するSWG相互接続と比較して,より高い信号減衰した。PPWG相互接続のビットレート密度は1mmまでの長さスケールのための電気的相互接続のそれより(1-2)数桁高いことを示した。しかし,プラズモン相互接続のエネルギー散逸は,相互接続長さとともに指数関数的に増加した。そのようなものとして,プラズモン相互接続のための最適長さスケールは,いくつかの十いくつかの百μmにした。システムレベル性能を持つ素子と材料レベルパラメータ間の明確な関係を確立することにより,プラズモン相互接続は,近傍の短および半大域的長さスケールでの銅相互接続よりも優れていることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電位 ,  *プラズモン ,  銅 ,  解析モデル ,  *相互接続 ,  パルス ,  テラヘルツ波 ,  導波路 ,  静電遮蔽 ,  TEMモード ,  エネルギー散逸 ,  周波数 ,  固有モード ,  指数関数 ,  周波数依存性

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相互接続 ,  限界