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J-GLOBAL ID：201702231425797875   整理番号：17A0991030

紙上の手書き酸化物エレクトロニクス【Powered by NICT】

Handwritten Oxide Electronics on Paper

著者 (9件)： Grey Paul (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Gaspar Diana (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Cunha Ines (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Barras Raquel (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Carvalho Jose Tiago (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Ribas Joao Rafael (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Fortunato Elvira (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Martins Rodrigo (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal) ,  Pereira Luis (CENIMAT/I3N, Departamento de Ciencia dos Materiais, Faculdade de Ciencias e Tecnologia, FCT, Universidade Nova de Lisboa and CEMOP-UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516, Caparica, Portugal)
資料名： Advanced Materials Technologies  (Advanced Materials Technologies)
巻： 2  号： 6  ページ： ROMBUNNO.201700009  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2485A  ISSN： 2365-709X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,無機酸化物半導体の沈降に基づく紙の電子回路の手書きについて報告し,ペンに関する論文(PoP)アプローチを利用した。法は従来の印刷用紙に対する持続的な亜鉛酸化物(ZnO)二相層の制御された堆積を可能にする,書道応用から知られている平行金属板ペンの使用に依存する。手書きZnO膜は約1.5μmの厚さを持つ連続で均一な表面を示し,論文に及ぼすUVセンサ,電界効果トランジスタの活性層としての応用を可能にした。UV照射から発生した光電流は3.4mA cm~ 2までの値に達する数秒のオーダのスイッチング時間を示した。基板と誘電体の役割を同時に果たす,最終論文トランジスタは5×10~ 3cm~2V~ 1s~ 1に近い大きさと電界効果移動度の約二桁のオン/オフ電流比(I_On/I_Off)に達した。最終概念実証として明確な反転特性を示す共通ソース増幅器は負荷抵抗としてPoP書かれた駆動ZnO系トランジスタと鉛筆延伸軌道を用いて作製した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性層 ,  電子回路 ,  誘電体 ,  金属板 ,  紫外線照射 ,  印刷用紙 ,  トランジスタ ,  センサ ,  光電流 ,  酸化亜鉛 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  酸化物半導体 ,  *酸化物エレクトロニクス ,  *手書き , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： のナノ粒子 ,  紙トランジスタ ,  ペンに関する論文 ,  プリントエレクトロニクス ,  酸化亜鉛

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 手書き ,  酸化物エレクトロニクス