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J-GLOBAL ID：201702231491857480   整理番号：17A1187530

GaN/AlNをベースにした単一および二重障壁ヘテロ構造における増大した電流輸送【Powered by NICT】

Enhanced current transport in GaN/AlN based single and double barrier heterostructures

著者 (13件)： Krishna Shibin (Advanced Materials and Devices Group, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Krishna Shibin (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Reddy Anurag G. (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo, Tokyo 153-8904, Japan) ,  Aggarwal Neha (Advanced Materials and Devices Group, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Aggarwal Neha (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Kaur Mandeep (Quantum Phenomena and Applications, CSIR-NPL, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Husale Sudhir (Quantum Phenomena and Applications, CSIR-NPL, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Singh Dinesh (Sophisticated and Analytical Instrumentation, CSIR-NPL, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Singh Manju (Quantum Phenomena and Applications, CSIR-NPL, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Rakshit Rajib (Quantum Phenomena and Applications, CSIR-NPL, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Maurya K.K. (Sophisticated and Analytical Instrumentation, CSIR-NPL, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Gupta Govind (Advanced Materials and Devices Group, CSIR-National Physical Laboratory (CSIR-NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India) ,  Gupta Govind (Academy of Scientific & Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110012, India)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 170  ページ： 160-166  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鋭い界面を持つ高品質GaN系ヘテロ構造を用いた独特な構造設計を通る電流輸送を調べた。構造設計の新しい方法を単一障壁ヘテロ構造(SBH)と二重障壁ヘテロ構造(DBH)デバイスを含むAlNの障壁層の特定数をもつGaNヘテロ構造における電流輸送を向上させるために採用されている。高バンドギャップAlNは,GaN層の間の電流伝導の障壁として作用し,トンネル現象によるデバイスにおける電流輸送を向上させる効果的に助けることができる。障壁ヘテロ構造(NBH)に比較して高度に増強された電流輸送は,SBHで観察され,DBHで理解される。さらに,電流伝導の現象は,ドリフト拡散モデル,高バンドギャップ障壁層のその後の添加により電流増強は局在高電場をもたらしたを通して説明であり,電荷キャリア速度はオーバーシュート。,これは量子模型により説明され,界面で透過及び反射された電子波の干渉した。金属-semiconductor-金属幾何学におけるAlN障壁層を持たないそのようなヘテロ構造設計を用いたUV光検出器を作製した。DBHを用いて開発したUV光検出素子は光応答性はUV照射(325nm)下でのNBHデバイスと比較して80倍高く得られた。そのような構造の採用は,非常に効率的な光電子素子の製造をスケールアップ可能にするであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造設計 ,  トンネル効果 ,  紫外線照射 ,  *窒化ガリウム ,  紫外線 ,  界面 ,  バンドギャップ ,  *窒化アルミニウム ,  金属 ,  *電流
準シソーラス用語： 光応答 ,  電荷キャリア ,  バリア層 ,  *電流輸送 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  AlN ,  UV光検出器 ,  電流輸送 ,  PAMBE ,  Heterostructures

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlN ,  障壁 ,  ヘテロ構造 ,  電流輸送