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J-GLOBAL ID：201702231535760919   整理番号：17A0443837

銀(I)のアノーディックストリッピングボルタンメトリーのための多孔質GaN電極【Powered by NICT】

Porous GaN electrode for anodic stripping voltammetry of silver(I)

著者 (3件)： Zhang Miao-Rong (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China) ,  Zhang Miao-Rong (University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, PR China) ,  Pan Ge-Bo (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China)
資料名： Talanta  (Talanta)
巻： 165  ページ： 540-544  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0324A  ISSN： 0039-9140  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,多孔質GaN電極は微量のAg(I)検出に適用できることを示した。伝統的な平面電極と比較して,より多くの沈着部位(結晶欠陥)とより大きな表面積を有する多孔質GaN電極は低濃度Ag(I)を検出することができた。最適条件下で,多孔質GaN電極は,0.5ppbの検出限界で1から100ppbへのAg(I)の濃度範囲で線形ボルタンメトリック応答を示した。このような未改良,高多孔性および化学的に安定な電極は実試料中の操作に有望である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 沈着 ,  最適条件 ,  *多孔性 ,  格子欠陥 ,  検出限界 ,  *窒化ガリウム ,  表面積 ,  線形性 ,  *アノーディックストリッピングボルタンメトリー
準シソーラス用語： 低濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 多孔質GaN ,  アノーディックストリッピングボルタンメトリー ,  銀

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  無機化合物の電気分析  (CC05024D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 銀 ,  アノーディックストリッピングボルタンメトリー ,  多孔質 ,  GaN