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J-GLOBAL ID：201702231573870621   整理番号：17A1548556

Mott理論はBiとSb原子置換PbTe材料の電子構造に基づく熱電特性の予測【Powered by NICT】

Mott theory predicted thermoelectric properties based on electronic structure of Bi and Sb atoms substituted PbTe material

著者 (1件)： Vora-ud Athorn (Program of Physics, Faculty of Science and Technology, Sakon Nakhon Rajabhat University, 680 Nittayo Road, Mueang District, Sakon Nakhon 47000, Thailand)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 525  ページ： 133-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,BiおよびSb原子置換PbTe材料の熱電特性を電子構造計算によりMott理論によって予測した。この計算は,Hartree-Fock-Slater近似に基づく第一原理DV-Xα分子軌道法を用いて行った。立方晶岩塩型構造(Fm 3m; 225)Pb_14Te_13,Pb_13SbTe_13とPb_13BiTe_13小クラスタはPbTe,Pb_0 0.75Sb_0 0.25TeとPb_0 0.75Bi_0 0.25Te材料を行ったように設計した。電子構造は高対称性結晶構造,スピンエネルギー準位,状態の部分スピン密度と電子電荷密度であることを示した。エネルギーギャップとFermi準位はMottの理論予測内の電気伝導率とSeebeck係数の評価すべき状態のエネルギー準位と密度から得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *テルル化鉛 ,  Fermi準位 ,  *電子構造 ,  スピン密度 ,  分子軌道法 ,  *ビスマス ,  *予測 ,  対称性 ,  第一原理 ,  *アンチモン ,  電気伝導率 ,  エネルギーギャップ
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  電荷密度 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： PbTe ,  電子構造 ,  熱電特性 ,  DV-Xα法

分類 (4件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 理論 ,  Bi ,  Sb原子 ,  置換 ,  PbTe ,  電子構造 ,  熱電特性 ,  予測