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J-GLOBAL ID：201702231617082050   整理番号：17A1570385

2個の同一エミッタの非常に接近したときの特性場エンハンスメント因子に及ぼす静電効果【Powered by NICT】

Electrostatic effect on the characteristic field enhancement factors when two identical emitters are in close proximity

著者 (3件)： Dall’Agnol Fernando F. (Santa Catarina Federal University, Pomerode St. 710, 89065-300. Blumenau, Brazil) ,  de Assis Thiago A. (Institute of Physics, Federal University of Bahia, Salvador, Bahia 40170-115, Brazil) ,  Forbes Richard G. (Advanced Technology Institute & Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IVNC  ページ： 230-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有限要素法に基づく数値シミュレーションを用いて,本研究では,半球(「HCP」モデル)でキャップした円柱としてモデル化した各二エミッタ間の静電相互作用(「相互遮蔽」)を研究した。二隣接エミッタ間の相互作用は,最近[8 11]で調べ,異なるモデルを用いた。参照[8]は,(解析的)「エミッタ板電位(FSEEP)における浮遊球」モデルを用いた先端電界増強因子(FEF)γaは球中心の分離Cで,与えられたエミッタ高さに対してどのように変化するかを研究するために。モデルを用いて,分離が減少すると「相互電荷鈍化」と呼ばれる電子熱力学的効果は常に支配的影響と分数FEF変化( Δδ_two)(大きな分離と比較して)を引き起こす単調に増加(γaは単調に減少する)であった。本研究では,後の最大FEFγ_m,後尖の片側に発生することを考慮してこれらの効果を調べた。中間および大きな距離に対して,著者らの数値結果は[8]で報告されたもの,すなわち( δ_two)~c 1および( δ_two) c-3,それぞれと同様に,FSEPPモデルの予測を裏付けた。しかし,著者らの数値結果は,非常に小さいエミッタ分離(c/l<0.1)で,予想外の挙動が生じることを示し,c/lがさらに減少するとしてγ_mが,最低値を通過することを示した。は異なる(半解析的)アプローチと異なる形状(「より円錐」)エミッタモデルを用いて行われた以前の結果[11]と定性的に一致した。著者らの結果は,この挙動は上/後頂点近傍の等電位面の形状, 二エミッタを一緒に非常に近い得るとしては単一エミッタのような挙動への傾向があることをこのような変化に関係していることを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 円柱 ,  シミュレーション ,  *電位 ,  モデリング ,  浮遊 ,  有限要素法 ,  円錐 ,  静電相互作用 ,  電場 ,  形態 ,  相互作用 ,  電荷
準シソーラス用語： 熱力学的効果 ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 構造力学一般  (HD01000X)

タイトルに関連する用語 (3件)： エミッタ ,  接近 ,  因子