Fu Haiyuan について
Institute of Materials Engineering, University of Siegen, Paul-Bonatz-Str. 9-11, 57076 Siegen, Germany について
Zhuang Hao について
Institute of Materials Engineering, University of Siegen, Paul-Bonatz-Str. 9-11, 57076 Siegen, Germany について
Yang Liang について
Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China について
Hantschel Thomas について
Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium について
Ma Song について
Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China について
Zhang Zhidong について
Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China について
Jiang Xin について
Institute of Materials Engineering, University of Siegen, Paul-Bonatz-Str. 9-11, 57076 Siegen, Germany について
Applied Physics Letters について
複合材料 について
薄膜 について
ダイヤモンド について
ドーピング について
ホウ素 について
炭化ケイ素 について
プラズマCVD について
電子顕微鏡観察 について
走査電子顕微鏡 について
X線回折 について
結晶構造 について
電気伝導率 について
サイクリックボルタンメトリー について
Ramanスペクトル について
キャラクタリゼーション について
マイクロ波プラズマCVD について
半導体薄膜 について
ホウ素ドープダイヤモンド について
SiC について
複合材料 について
薄膜 について
キャラクタリゼーション について