文献

J-GLOBAL ID：201702231801399780   整理番号：17A1036290

N7を越えたSRAM可能性:B TI研究【Powered by NICT】

SRAM enablement beyond N7: A BTI study

著者 (12件)： Gupta M. K. (Katholieke Universiteit Leuven, ESAT-MICAS, Leuven, Belgium) ,  Weckx P. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Cosemans S. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Schuddinck P. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Baert R. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Jang D. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Sherazi Y. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Raghavan P. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Kaczer B. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Spessot A. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Mocuta A. (imec vzw, Leuven, Belgium) ,  Dehaene W. (Katholieke Universiteit Leuven, ESAT-MICAS, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： CR-4.1-CR-4.6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケーリングによる高密度SRAMの動作電圧(Vmin)改善は,エネルギー最適化操作のためのボトルネックとなる変動とエージング効果のために停止する。デバイスレベルと細胞レベルの進歩はVmin低下におけるSRAMを助ける。補助技術はそれらのVmin分解物Vmin低下に有効であったがB TIによるものであった。これらの解のためのBTI感度解析は,先端技術ノードのためのBTI弾性HD SRAM設計の洞察を与える。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *SRAM ,  分解物 ,  感度解析 ,  弾性
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： SRAM ,  可能性 ,  Ti ,  研究