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J-GLOBAL ID：201702231802960812   整理番号：17A0642108

窒素化穴あきグラフェン上の原子吸着

Atomic Adsorption on Nitrogenated Holey Graphene

著者 (4件)： TROMER Raphael M. (Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, BRA) ,  DA LUZ Marcos G. E. (Universidade Federal do Parana, Curitiba, BRA) ,  FERREIRA Mauro S. (Trinity Coll. Dublin, Dublin, IRL) ,  PEREIRA Luiz Felipe C. (Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, BRA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 5  ページ： 3055-3061  発行年： 2017年02月09日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理とハイブリッド量子力学(QM)/分子力学(MM)法に基づくシミュレーションを行い,窒素化穴あきグラフェン(NHG)として知られる2D C₂Nシート上のH,BとOの吸着を調べた。本計算によると,NHGはこれらの原子種の存在には不活性でなく,HとBは窒素原子の頂点に吸着し,一方Oは炭素-炭素結合の頂点に吸着する傾向をもつ。NHGの電子構造も吸着原子の存在の結果として変化し,フェルミ準位近傍にミッドギャップ状態が出現する。上向きおよび下向きスピンに対する状態密度の解析は,NHG+HとNHG+Bの場合,系には消失しない磁気モーメントが発達し,これは低濃度の吸着不純物をもつNHGの磁気抵抗効果を生じる。

シソーラス用語： 分子内力学 ,  *グラフェン ,  *吸着 ,  第一原理 ,  電子構造 ,  原子 ,  Fermi準位 ,  状態密度 ,  磁気モーメント ,  磁気抵抗効果 ,  不純物 ,  窒素 ,  ホウ素
準シソーラス用語： QM/MM法【分子力学】 ,  *原子吸着 ,  吸着原子 ,  *窒素化穴あきグラフェン ,  水素原子 ,  酸素原子

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素 ,  穴あき ,  グラフェン ,  原子吸着