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J-GLOBAL ID：201702231804391595   整理番号：17A0143801

低位相雑音SPIプログラム可能な1.5~12GHz SiGe BiCMOS VCOアレイ【Powered by NICT】

Low phase-noise SPI programmable 1.5 to 12 GHz SiGe BiCMOS VCO array

著者 (6件)： Lewark U. J. (IMST GmbH, Carl-Friedrich-Gauss-Str 2-4 D-47475 Kamp-Lintfort, Germany) ,  Ehrich S. (IMST GmbH, Carl-Friedrich-Gauss-Str 2-4 D-47475 Kamp-Lintfort, Germany) ,  Kersten O. (IMST GmbH, Carl-Friedrich-Gauss-Str 2-4 D-47475 Kamp-Lintfort, Germany) ,  Follmann R. (IMST GmbH, Carl-Friedrich-Gauss-Str 2-4 D-47475 Kamp-Lintfort, Germany) ,  Lia E. (ESA - European Space Research and Technology Centre (ESTEC) Keplerlaan 1, 2200-AG Noordwijk, Netherlands) ,  Deborgies F. (ESA - European Space Research and Technology Centre (ESTEC) Keplerlaan 1, 2200-AG Noordwijk, Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 285-288  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSコア,LDO,七VCO,周波数範囲拡大のための三分周器経路と出力増幅器を含む完全集積化VCOアレイを示した。回路は低コストの0.25μm SiGe:C BiCMOS技術を用いて作製した。七VCO直接,分割による2と4経路は 40ppm,25ppmと85~O Cで測定したギャップなしから1.5GHzと12GHz出力周波数範囲をカバーする。室温でこのVCOは,1MHzオフセットで測定した約2GHz,6GHzと 134.7dBc/Hz周辺の最新の位相雑音 123.06dBc/Hzを示した。電力増幅器を用いた出力パワーは4GHzで5dBmを超えていた。全チップサイズは5.03mm~2であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  *BiCMOS ,  分周器 ,  オフセット ,  電力増幅器 ,  *位相雑音 ,  *CMOS
準シソーラス用語： チップサイズ ,  *SiGe BiCMOS ,  *低位相雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低位相雑音 ,  SPI ,  SiGe ,  BiCMOS ,  VCO ,  アレイ