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J-GLOBAL ID：201702231916361610   整理番号：17A1526034

単結晶シリコン高速リン拡散研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on monocrystalline silicon quickly phosphorus diffusion

著者 (8件)： Kong Fandi (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Chen Nuofu (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Tao Quanli (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  He Kai (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Wang Congjie (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Wei Lishuai (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Bai Yiming (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Chen Jikun (北京科技大学 材料科学与工程学院,北京,100083)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 48  号： 2  ページ： 2091-2095  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 従来の方法を用いて結晶シリコン中にリンを拡散させることは時間がかかるだけでなく、エネルギー消費も多い。高速熱処理(RTP)法は数十秒の時間でリン拡散の深さと濃度の要求に達することができ、広い将来性がある。拡散源としてリン紙を用い,高速熱処理法によりp型単結晶シリコンウエハにリン拡散を行い,すれすれ角染色法により拡散接合深さを検討し,最も理想的なp-n接合拡散温度と時間を得た。ケイ素中のリンの拡散係数と拡散活性化エネルギーを計算することにより,従来の拡散法とは異なる理由を解析した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単結晶 ,  ケイ素 ,  *高速度 ,  拡散係数 ,  エネルギー消費 ,  染色 ,  *リン ,  活性化エネルギー ,  RTA【熱処理】 ,  拡散接合
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *結晶シリコン ,  *単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： semiconductor materials ,  p-n junction ,  rapid thermal progress ,  phosphorus diffusion ,  diffusion coefficient

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶シリコン ,  リン ,  拡散 ,  研究