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J-GLOBAL ID：201702231920056344   整理番号：17A1121725

電子とフォトニックデバイスのための溶液処理可能な金属酸化物薄膜堆積と材料成長【Powered by NICT】

Solution Processable Metal Oxide Thin Film Deposition and Material Growth for Electronic and Photonic Devices

著者 (4件)： Glynn Colm (Department of Chemistry, University College Cork, Cork, T12 YN60, Ireland) ,  Glynn Colm (Micro-Nano Systems Centre, Tyndall National Institute, Lee Maltings, Cork, T12 R5CP, Ireland) ,  O’Dwyer Colm (Department of Chemistry, University College Cork, Cork, T12 YN60, Ireland) ,  O’Dwyer Colm (Micro-Nano Systems Centre, Tyndall National Institute, Lee Maltings, Cork, T12 R5CP, Ireland)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 2  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子およびフォトニック素子のための金属酸化物薄膜の溶液処理と成長における最近の進歩の包括的なレビューを提示し,エレクトロニクスと光学のための正確な溶液ベース技術コーティングに特に焦点,電気化学,触媒,エネルギー貯蔵及び変換システム,情報技術,半導体デバイス処理と関連デバイスのための酸化物材料成長のための新しい概念である。を通して,可溶性前駆体溶液の性質と種々の溶液被覆技術による膜形成プロセスとの関係を照合し,比較し,デバイスのための複合酸化物を作成するための前駆体設計の利点を強調した。溶液加工可能な酸化物と機能性材料被覆の汎用性のため,それは曲ったあるいはフレキシブルディスプレイにプラスチックエレクトロニクス,シースルーとウェアラブルデバイス,及び高忠実度薄膜トランジスタのための酸化物堆積の進歩を捉えることが重要である。酸化物に対しても,溶液処理は,化学蒸着(CVD)又は原子層堆積(A LD)プロセスを用いて達成するのが難しいことを組成,厚さ,光学定数,空隙率,ドーピング,調整可能な光吸収/透過,バンド構造工学,3D基板被覆,複雑な複合酸化物形成と多層酸化物系の制御を可能にした。もいくつかの技術のための溶液処理の限界を議論し,エレクトロニクス,フォトニクスと他の技術のための金属酸化物材料の溶液ベース処理の将来についてコメントした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  光吸収 ,  薄膜トランジスタ ,  前駆体 ,  *酸化物 ,  電子技術 ,  三次元 ,  化学蒸着 ,  エネルギー貯蔵 ,  *金属酸化物 ,  被覆 ,  機能材料
準シソーラス用語： 複合酸化物 ,  *酸化物薄膜 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エレクトロニクス ,  金属酸化物 ,  フォトニクス ,  溶液処理 ,  薄膜

分類 (2件)： その他の光デバイス  (BD06060O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  フォトニックデバイス ,  溶液処理 ,  金属酸化物薄膜 ,  堆積 ,  成長