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J-GLOBAL ID:201702231936123410   整理番号:17A0994500

Bi_2Ti_2O_7薄膜における酸素空格子点の転移に及ぼす制御されたMnドーピングの効果:電気化学的研究【Powered by NICT】

Effect of controlled Mn doping on transition of oxygen vacancies in Bi2Ti2O7 thin films: An electrochemical study
著者 (9件):
資料名:
巻: 415  ページ: 75-79  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結晶性パイロクロアBi_2Ti_2O_7(B_2T_2)薄膜を,パルスレーザ蒸着を用いた酸素分圧の740mTorr下で300°Cで形成された。誘電B_2T_2膜の電気的性質を改善するために,Mnイオンは膜中にドープし,それらの影響を調べた。電気挙動,特に漏れ電流密度の改善は,インピーダンス分光法および電気化学的研究により明らかにした。適切なレベルでのMnドーピングはPt電極とB_2T_2膜間の界面における電子トラップサイトとして作用する固有の酸素空格子点の数を減少させることを外因性酸素空孔の生成による膜の電気特性を改善した。Schottky放出は10mo1%MnドープB_2T_2(Mn:B_2T_2)膜の漏れ電流機構として仮定した。Pt電極とMn:B_2T_2膜の間の障壁高さは約1.46eVであったが,多数の固有の酸素空格子点のために非ドープ膜の0.51eVに減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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