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J-GLOBAL ID：201702231957630038   整理番号：17A1272691

SiC素子のクロストーク抑制のための磁気結合に基づく改良型ゲート駆動回路【Powered by NICT】

An improved gate driver based on magnetic coupling for crosstalk suppression of SiC devices

著者 (6件)： Zhang Binfeng (College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Xie Shaojun (College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Xu Jinming (College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Qian Qiang (College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Zhang Zhao (College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Xu Kunshan (College of Automation Engineering, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IFEEC 2017 - ECCE Asia  ページ： 422-427  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)デバイスは,その優れた特性のために研究者の注目を集めている。しかし,ブリッジ回路におけるスイッチング過程の間の上部および下部素子間の相互作用はSiCデバイスの安全運転に影響するであろう。クロストーク偽電圧を抑制するために,本論文では,SiCデバイスのための磁気結合に基づくゲート駆動回路は,ゲート-ソース電圧を調整する正および負のスプリアスパルス電圧が発生したとき,安全な範囲にすることを提案した。クロストーク抑制のための既存のゲートドライバと比較して,提案した回路は完全にガルバニック分離を実現し,補助電源を持たない正-負ゲート-ソース電圧を生成することができる。結果として,ゲート駆動回路が簡略化され,助けとなる統合した。実験結果に基づいて,提案した回路の性能を評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 安全性 ,  *ゲート回路 ,  相互作用 ,  炭化ケイ素 ,  *クロストーク ,  簡素化 ,  ブリッジ回路 ,  電圧 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 補助電源 ,  安全運転 ,  *磁気結合 ,  *SiC素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC素子 ,  クロストーク ,  磁気結合 ,  ゲート駆動回路