抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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フリップチップボンディングは,高密度相互接続などの応用において,微細ピッチ相互接続を実現するための効率的な方法となっている。Cu/Snマイクロバンプの熱圧縮結合は,高い接合温度,接合時間と高い結合力のため余分な熱応力を誘導することができる。温度,時間と力は統合システムの熱-機械的信頼性を改善するために減少することが期待される。本研究では,金の薄層でCu/Snマイクロバンプの低温超音波接合を調べた。金の電着銅と薄層から成ることを再分布層(RDLs)の結合を研究した。低温超音波ボンディングの実現可能性は,予備的な実験結果により実証した。Au層を有するCu/Snマイクロバンプは迅速結合プロセスとそれに続くアニーリングプロセスにより接着することに成功した。RDLsの結合の場合には,いくつかの結合RDLsの断面はAu/Au層の界面は不均一表面から生じたに存在した亀裂であることを示した。電着プロセスは,より平坦な表面を得るために改善する必要があると結合プロセスのパラメータは最適化する必要がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】