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J-GLOBAL ID：201702232004864687   整理番号：17A1350664

高密度相互接続応用のためのAu層を用いたCu/Snマイクロバンプの低温超音波接合【Powered by NICT】

Low-Temperature Ultrasonic Bonding of Cu/Sn Microbumps with Au Layer for High Density Interconnection Applications

著者 (4件)： Zeng Qinghua ,  Guan Yong ,  Chen Jing ,  Jin Yufeng
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 1894-1899  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フリップチップボンディングは,高密度相互接続などの応用において,微細ピッチ相互接続を実現するための効率的な方法となっている。Cu/Snマイクロバンプの熱圧縮結合は,高い接合温度,接合時間と高い結合力のため余分な熱応力を誘導することができる。温度,時間と力は統合システムの熱-機械的信頼性を改善するために減少することが期待される。本研究では,金の薄層でCu/Snマイクロバンプの低温超音波接合を調べた。金の電着銅と薄層から成ることを再分布層(RDLs)の結合を研究した。低温超音波ボンディングの実現可能性は,予備的な実験結果により実証した。Au層を有するCu/Snマイクロバンプは迅速結合プロセスとそれに続くアニーリングプロセスにより接着することに成功した。RDLsの結合の場合には,いくつかの結合RDLsの断面はAu/Au層の界面は不均一表面から生じたに存在した亀裂であることを示した。電着プロセスは,より平坦な表面を得るために改善する必要があると結合プロセスのパラメータは最適化する必要がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金 ,  *銅 ,  信頼性 ,  再分布 ,  *相互接続 ,  薄膜 ,  *低温 ,  熱応力 ,  電着 ,  *超音波溶接 ,  亀裂
準シソーラス用語： 接合温度 ,  フリップチップ接続 ,  *マイクロバンプ ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 相互接続 ,  応用 ,  Au層 ,  Cu ,  Sn ,  マイクロバンプ ,  低温 ,  超音波接合