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J-GLOBAL ID：201702232117845850   整理番号：17A0417625

0.8V,65nm CMOSによるモバイルDRAMインタフェースの12Gb/s/pinシングルエンド送受信機のためのタップDFEを有する23.7A時間ベース受信機【Powered by NICT】

23.7 A time-based receiver with 2-tap DFE for a 12Gb/s/pin single-ended transceiver of mobile DRAM interface in 0.8V 65nm CMOS

著者 (9件)： Yi Il-Min (Pohang University of Science and Technology, Korea) ,  Chae Min-Kyun (Pohang University of Science and Technology, Korea) ,  Hyun Seok-Hun (Samsung Electronics, Hwasung, Korea) ,  Bae Seung-Jun (Samsung Electronics, Hwasung, Korea) ,  Choi Jung-Hwan (Samsung Electronics, Hwasung, Korea) ,  Jang Seong-Jin (Samsung Electronics, Hwasung, Korea) ,  Kim Byungsub (Pohang University of Science and Technology, Korea) ,  Sim Jae-Yoon (Pohang University of Science and Technology, Korea) ,  Park Hong-June (Pohang University of Science and Technology, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCC  ページ： 400-401  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルエンドトランシーバはピン数を減らすためにDRAMインタフェイスのための使用されている。低供給トランシーバは低電力消費のために,特にモバイルDRAMインタフェースのための,優先される画像データの伝送[1]の高速界面を維持した。シングルエンド送受信機における送信電力を低減するために,電源電圧と信号スイングは減少は,0.8Vと200mV,以下[2]。しかし,小信号振幅を持つ低電源電圧は,受信機(RX)により扱うことができる最大データ速度を制限する報告された最大データ速度を65nm CMOS[2 4]における0.8Vの電源電圧で10Gb/s以下であった。低供給電圧での通常のRXでは,最大データ速度はRXフロントエンド回路の小g_m/Cによって制限される。g_m/C制約を除去するために,本研究は0.8Vで12Gb/s運転のための時間ベースRXを提案する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インタフェイス ,  制約条件 ,  *送受信機 ,  高速度 ,  *携帯電話 ,  *受信機 ,  界面 ,  *DRAM ,  *CMOS
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  データレート ,  電源電圧 ,  送信電力 ,  画像データ ,  低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： CMOS ,  モバイル ,  DRAM ,  インタフェース ,  送受信機 ,  タップ ,  DfE ,  受信機