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J-GLOBAL ID：201702232128066681   整理番号：17A1271098

2D材料における低周波雑音:グラフェンとMoS_2【Powered by NICT】

Low frequency noise in 2D materials: Graphene and MoS₂

著者 (4件)： Rumyantsev S. L. (Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA) ,  Shur M. S. (Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA) ,  Liu G. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California - Riverside, USA) ,  Balandin A.A. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California - Riverside, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンとMoS_2における雑音機構は全く異なっている。MoS_2トランジスタの雑音特性は,McWhorterモデルで記述できた。雑音測定から抽出したMoS_2における1/f雑音の原因となるトラップ密度の範囲は~10~18eV~ 1cm~ 3から~6×10~20eV~ 1cm~ 3である。最小騒音レベルと最小トラップ密度は層N>6の数を持つ多層MoS_2トランジスタで見られた。,一般的に,グラフェンの騒音レベルはMoS_2トランジスタにおけるよりもはるかに小さく,McWhorterモデルに適合しなかった。高品質グラフェントランジスタにおける低周波雑音は比較的低く,Si MOSFETに匹敵する可能性がある。接触はグラフェンの雑音に及ぼす重要な影響を持っているが,老齢ない素子の雑音の支配的発生源はチャンネルである。グラフェンにおける雑音のゲート電圧依存性は,移動度ゆらぎは雑音に支配的な寄与を与えることを示している。磁場中の電子照射したグラフェン素子と測定の雑音測定は,この仮説を確認した。MoS_2とグラフェンの両方において,雑音は原子層の,N,数と共に減少した。N<7の比較的薄いグラフェン素子における1/f雑音は表面現象である。より厚いグラフェン素子では雑音の体積機構が支配し始める。ガス環境はグラフェンにおける雑音スペクトルの形状を変化させる。,他のセンシングパラメータとの組み合わせで,低周波雑音測定は,選択的ガス検知に用いることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  *低周波雑音 ,  ゆらぎ ,  雑音特性 ,  チャネル ,  *グラフェン ,  磁場 ,  MOSFET ,  雑音測定 ,  電圧依存性 ,  *雑音 ,  1/f雑音 ,  移動度
準シソーラス用語： グラフェン素子 ,  トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 2D ,  低周波雑音 ,  グラフェン