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J-GLOBAL ID：201702232145684543   整理番号：17A1567523

希遷移金属dichalcogenide/grapheneヘテロ二重層における角度回転に対するロバストな準Ohm接触【Powered by NICT】

Robust quasi-ohmic contact against angle rotation in noble transition-metal-dichalcogenide/graphene heterobilayers

著者 (5件)： Hou Siyao (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Han Lihong ,  Wu Liyuan ,  Quhe Ruge ,  Lu Pengfei
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 73  ページ： 45896-45901  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 積層2次元結晶は厚さと組成特性を変えて所望の機能を得るために大きな可能性を提供する。本研究では,中間層回転角を持つ貴遷移金属ジカルコゲン化物(PdS_2,PtS_2)/グラフェンのヘテロ二重層の電子特性を密度汎関数理論計算により系統的に調べた。二層は弱いvan der Waals相互作用によって結合された。各成分はハイブリッド系におけるそのバンド構造を保存する。電荷移動は,二重層PdS_2(PtS_2)のためのグラフェンとn型ドーピングのためのp型ドーピングの界面で起こる。0eV~0.057eVの範囲のSchottky障壁は二単分子層の間の異なる方位を持つ両ヘテロ二重層に現れた。これらの結果は,PdS_2(PtS_2)/グラフェンヘテロ二重層は,界面角回転に対する擬オーミック接触を持つことを示唆する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Ohm接触 ,  電荷移動 ,  グラフェン ,  Schottky障壁 ,  van der Waals力 ,  単分子層 ,  ハイブリッド系 ,  *ロバスト性 ,  バンド構造 ,  界面
準シソーラス用語： p型ドーピング ,  二層 ,  中間層 ,  二次元結晶 ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属 ,  テロ ,  重層 ,  ロバスト ,  Ohm接触