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J-GLOBAL ID：201702232148883439   整理番号：17A0539868

パイロクロアTb₂Ti₂O₇の層毎のエピタキシャル薄膜

Layer-by-layer epitaxial thin films of the pyrochlore Tb₂Ti₂O₇

著者 (4件)： BOVO Laura (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  ROULEAU Christopher M (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  PRABHAKARAN Dharmalingam (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  BRAMWELL Steven T (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 5  ページ： 055708,1-8  発行年： 2017年02月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜成長技術は,材料の特性を歪工学により変更,調整することができる。この論文では,等構造基板Y₂Ti₂O₇上(YTO)に対するパイロクロア磁石Tb₂Ti₂O₇(TTO)の層毎エピタキシャル薄膜の作成と特性測定の結果を報告する。作成したTTO膜は,厚さが60nmまでの高品質単結晶である。基板による薄膜の歪は,強く制御された摂動として働き,TTOに新しい磁性を示した。YTOが基板のTTOは,量子スピンアイスの候補になり,基板がEr₂Ti₂O₇の場合は,磁気揺らぎによる秩序化の候補となる。これらのことから,酸化パイロクロアの歪工学への期待が開かれる。

シソーラス用語： *パイロクロア型結晶 ,  *チタン酸塩 ,  *テルビウム化合物 ,  磁性体 ,  ヘテロエピタクシー ,  *単結晶 ,  *残留歪 ,  *磁性薄膜 ,  基板 ,  イットリウム化合物 ,  *スピン系 ,  薄膜成長 ,  RHEED ,  *比熱 ,  SQUID ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *磁化特性
準シソーラス用語： *スピンアイス ,  層毎成長

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (4件)： パイロクロア ,  層 ,  エピタキシャル ,  薄膜