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J-GLOBAL ID：201702232246359472   整理番号：17A1258667

TSVはフロントエンドの設計,統合,およびプロセス開発【Powered by NICT】

TSV front end design, integration, and process development

著者 (2件)： Thomason Mike (ON Semiconductor, Technology Development, 2300 Buckskin Road, Pocatello Idaho 83221 USA) ,  Girvna Gordy (ON Semiconductor, Technology Development, 2300 Buckskin Road, Pocatello Idaho 83221 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIPRO  ページ： 337-341  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuとWの歴史的限界を除去する革新的なTSVアプローチは,TSVを充填した,W TSVは再び魅力あるものとする。両方の膜をそれらの利点と欠点を持っている。Cu TSVは二つの主要な利点を持ち,一つのCu電気めっきはWに比べてを介してより広いを可能にする高アスペクト比バイアを充填する能力を持ち,二Cu抵抗率を介して低い抵抗性を可能にするWよりはるかに低かった。WはCu上で持つことを主要な利点は,熱膨張係数(CTE)はシリコンのそれに非常に近いことである。これは高い電流運搬能力及び減少した信頼性/応力リスクと大きいTSVを可能にすることができる。本論文で提示したのユニークで革新的なTSVセル設計は中心シリコン支持構造を含んでいる。単位格子は,マルチセルアレイに拡張できる。アプローチは,より高い電流運搬能と全体的バイア抵抗の減少領域を介して増加可能にし,以前に得られている信頼性/ストレスリスクを低下させた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *プロセス開発 ,  電気抵抗率 ,  運搬能力 ,  銅 ,  熱膨張係数 ,  信頼性 ,  電気めっき ,  ケイ素
準シソーラス用語： 単位格子 ,  セル設計 ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： TSV ,  フロント ,  設計 ,  統合 ,  プロセス ,  開発