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J-GLOBAL ID：201702232294225187   整理番号：17A1092093

溶射SnS膜の蒸着後熱処理【Powered by NICT】

Post-deposition thermal treatment of sprayed SnS films

著者 (7件)： Polivtseva S. (Laboratory of Thin Film Chemical Technologies, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Katerski A. (Laboratory of Thin Film Chemical Technologies, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Kaerber E. (Laboratory of Thin Film Chemical Technologies, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Oja Acik I. (Laboratory of Thin Film Chemical Technologies, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Mere A. (Laboratory of Thin Film Chemical Technologies, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Mikli V. (Chair of Semiconductor Materials, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia) ,  Krunks M. (Laboratory of Thin Film Chemical Technologies, Department of Materials Science, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, 19086 Tallinn, Estonia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 179-184  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnS膜はモル比1:1及び1:8および200°Cの基板温度でSnCl_2とSC(NH_2)2を含む水溶液を用いた化学噴霧熱分解法により空気中で成長させた。堆積したままの膜は窒素又は真空雰囲気中で450°Cで熱処理した。全ての試料をX線回折,Raman分光法,エネルギー分散型X線分析,および紫外-可視分光法を用いて研究した。成長したままの膜は噴霧溶液中の前駆体のモル比にかかわらず唯一の結晶相として立方晶SnSから成っていた。真空における1:1膜(1:1溶液から誘導された)のアニーリングは,金属Snが得られ,N_2におけるアニーリングにより立方晶SnSとSnO_2相の混合物から成る膜,成長したままの膜中の酸素含有非晶質相の存在を示すを生成した。窒素における1:8膜の熱処理は,Sn_2S_3から成る膜が得られたが,真空アニーリングは1.4eVのバンドギャップエネルギーを持つ斜方晶SnSから成る膜を生成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スズ ,  モル比 ,  斜方晶系 ,  前駆体 ,  窒素 ,  基板温度 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  焼なまし ,  Raman分光法 ,  噴霧
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  結晶相 ,  紫外可視分光法 ,  噴霧熱分解法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硫化すず ,  化学スプレー熱分解 ,  熱処理 ,  X線回折 ,  Raman分光法

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶射 ,  SNS ,  蒸着 ,  後熱処理