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J-GLOBAL ID：201702232345597438   整理番号：17A1570351

ナノ結晶ダイヤモンド膜を被覆した炭化けい素微細構造陰極からの電界放出【Powered by NICT】

The field emission from nanocrystalline diamond film coated silicon carbide microstructured cathode

著者 (7件)： Luchinin Victor V. (School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia) ,  Golubkov Vladimir A. (School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia) ,  Ivanov Alexey S. (School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia) ,  Ilyin Vladimir A. (School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia) ,  Bogdanov Sergey A. (Institute of Applied Physics RAS, 46 Ulyanov Str., Nizhny Novgorod 603950, Russia) ,  Ivanov Oleg A. (Institute of Applied Physics RAS, 46 Ulyanov Str., Nizhny Novgorod 603950, Russia) ,  Vikharev Anatoliy L. (Institute of Applied Physics RAS, 46 Ulyanov Str., Nizhny Novgorod 603950, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IVNC  ページ： 140-141  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類の異なるタイプのナノ結晶ダイヤモンド薄膜の非ドープおよび高度にほう素で被覆した炭化けい素電界放出アレイを比較した。最後の一つは電子放出に対する電場しきい値は二倍低かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *微細構造 ,  ドーピング ,  電場 ,  *電界放出 ,  ホウ素 ,  *ナノ結晶 ,  電界放出アレイ ,  *炭化ケイ素 ,  電子放出
準シソーラス用語： *ダイヤモンド膜 ,  *ナノ結晶ダイヤモンド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  炭化けい素 ,  微細構造 ,  陰極 ,  電界放出