文献

J-GLOBAL ID：201702232382758702   整理番号：17A1454132

Czochralski結晶成長中の結晶化起電力測定による成長縞のその場検出【Powered by NICT】

In-situ detection of growth striations by crystallization electromotive force measurement during Czochralski crystal growth

著者 (7件)： Zhu Yunzhong (Sino French Institute of Nuclear Engineering and Technology, Sun Yat-sen University, Zhuhai 519082, China) ,  Ma Decai (Sino French Institute of Nuclear Engineering and Technology, Sun Yat-sen University, Zhuhai 519082, China) ,  Long Siwei (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies/Institute of Optoelectronic and Functional Composite Materials, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Tang Feng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies/Institute of Optoelectronic and Functional Composite Materials, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Lin Shaopeng (Sino French Institute of Nuclear Engineering and Technology, Sun Yat-sen University, Zhuhai 519082, China) ,  Wang Biao (Sino French Institute of Nuclear Engineering and Technology, Sun Yat-sen University, Zhuhai 519082, China) ,  Wang Biao (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies/Institute of Optoelectronic and Functional Composite Materials, School of Physics and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 475  ページ： 70-76  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶材料のマクロ欠陥として,成長縞は主に成長界面における対流と温度変動に起因する。何十年もの間,ストライエーションは,固有の問題として考えられている。よく発達したCzochralski法でも,ストライエーション形成過程であるin situ検査することは困難である。この長年の問題の観点から,結晶成長中の温度,量,出力電力を研究し,成長過程をモデル化する数値的に系統的に後,成長界面起電力(GEMF)の規則性は縞の分布に関係することを見出した。GEMFは界面ゆらぎ(711.2s, 16.6μm)と熱ヒステリシス(107S)を定量化し,熱電対およびロードセルにより提供されたものよりも微細な詳細を示した。GEMFを実時間で結晶成長状態を監視するための優れた選択であることが分かった。付加的フィードバックとして,新しい自動制御法は成長縞を減少させ,結晶品質を促進するために開発された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *起電力 ,  ゆらぎ ,  温度変動 ,  モデリング ,  *結晶 ,  熱履歴 ,  Czochralski法 ,  *結晶成長 ,  規則度 ,  界面 ,  熱電対 ,  *結晶化 ,  自動制御 ,  対流
準シソーラス用語： *縞 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1欠陥 ,  A1界面 ,  A2Czochralski法 ,  B1リチウム化合物 ,  B1ニオブ酸塩 ,  B1酸化物

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶成長 ,  結晶化 ,  起電力 ,  成長縞