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J-GLOBAL ID：201702232394796818   整理番号：17A0990865

光センサのためのRFスパッタによるコバルトタングステン酸化物薄膜の調製【Powered by NICT】

Cobalt Tungsten Oxide Thin Films Prepared by RF-Sputter for Photosensor

著者 (4件)： Lan Kai-Wei (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Hong Ying-Jhan (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Chang Pin (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Yew Tri-Rung (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 4  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201601165  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,光センサ応用に適した無線周波数(RF)スパッタ法による非化学量論ナノ結晶Co_2 0.59W_0 0.41O_4薄膜の合成と特性評価を報告した。Co_2 0.59W_0 0.41O_4薄膜の光伝導特性はSchottky障壁を持つp~+Si/Co_2.59W_0 0.41O_4薄膜/インジウムスズ酸化物のサンドイッチ構造素子を作製して調べた。応答性,光強度応答および時間応答を含めて,素子特性を研究した。Co_2 0.59W_0 0.41O_4薄膜は良好な吸収(可視光スペクトルにおける吸収係数≒10~4cm~ 1),相対的に高い応答性(R_res=5.427A W~ 1),及び高速光応答時間立ち上がり時間(t_r)=81.04ms,立下り時間(t_f)=80.67msを示すことが分かった。Co_2 0.59W_0 0.41O_4薄膜は,潜在的な光センサ応用に適している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  *薄膜 ,  *光センサ ,  酸化スズ ,  キャラクタリゼーション ,  *RFスパッタリング ,  吸収係数 ,  サンドイッチ構造 ,  光伝導 ,  応答特性 ,  ナノ結晶 ,  可視光
準シソーラス用語： 立上り時間 ,  光応答 ,  *酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コバルト酸化タングステン ,  光センサ ,  RFスパッタ ,  Schottky障壁 ,  薄膜

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光センサ ,  RFスパッタ ,  コバルト ,  タングステン ,  酸化物薄膜 ,  調製