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J-GLOBAL ID：201702232440186942   整理番号：17A1570850

3の独立したゲート電界効果トランジスタを用いた低電力マルチプレクサの設計【Powered by NICT】

Low-power multiplexer designs using three-independent-gate field effect transistors

著者 (3件)： Giacomin Edouard (Electrical and Computer Engineering, Department University of Utah, Salt Lake City, Utah, USA) ,  Gonzalez Jorge Romero (Electrical and Computer Engineering, Department University of Utah, Salt Lake City, Utah, USA) ,  Gaillardon Pierre-Emmanuel (Electrical and Computer Engineering, Department University of Utah, Salt Lake City, Utah, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANOARCH  ページ： 33-38  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三独立ゲート電界効果トランジスタ(TIGFETs)は付加的なゲート端子のおかげで,異なる運転モードが可能である。側ゲートを電気的に制御することにより,TIGFETsはp型またはn型トランジスタとしてのどちらかに作用でき,また多しきい値論理を実現できる。汎用性は,高速または低漏れ応用を意図したコンパクトな論理ゲートを作製するために使用することができた。今日の集積回路(IC)では,マルチプレクサは広範囲符号化-復号化,経路選定信号またはルックアップテーブル(LUT)のような用途で使用されている。特に,多数入力を用いた通常の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に基づくマルチプレクサはいくつかの段階を必要とし,有意な面積とエネルギーをもたらした。三ゲート端子に起因して,TIGFETsはトランジスタ,コンパクトな方法で配置を用いた等価マルチプレクサを実装し,面積とエネルギーを減少させることができる。本論文では,シリコンナノワイヤTIGFETs(TIG SiNWFETs)に基づく低電力応用を意図した新しい2準位と樹状マルチプレクサ構造を提示し,従来のCMOS FinFET低スタンバイ電力(LSTP)構造と比較した。22nm技術ノードを用いて,電気的シミュレーションは,著者らのSiNWFETベースマルチプレクサが最良のCMOS FinFET構造に比べて2.6×まで25×とエネルギー地域産物による運転によるエネルギーを向上させることができることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ルックアップテーブル ,  符号化 ,  高速度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  復号化 ,  *トランジスタ ,  *多重装置 ,  シミュレーション ,  経路選定 ,  閾値論理 ,  集積回路
準シソーラス用語： 待機電力 ,  FinFET ,  論理ゲート ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  低電力 ,  マルチプレクサ ,  設計