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J-GLOBAL ID：201702232480740464   整理番号：17A1181639

グラフェンH allバーにおける量子輸送:サイドゲートの影響【Powered by NICT】

Quantum transport in graphene Hall bars: Effects of side gates

著者 (2件)： Petrovic M.D. (Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium) ,  Peeters F.M. (Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerp, Belgium)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 257  ページ： 20-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サイドゲートをつけたグラフェンH allバーにおける量子電子輸送は量子化された外部磁場の存在下で検討した。四サイドゲートの非対称ポテンシャル相対論的Landau準位の平坦なバンドを歪ませると,Landauスペクトル(すなわちスネーク状態)における新しい伝搬状態を生成する。これらの新しい状態の存在は,ベンド抵抗およびHall抵抗の興味ある変化させて,Landau準位の近くに現れる新しい量子化プラトーを持つ。この系の電子導波は入射及び出射の端子-モードの電流密度プロファイルを研究することによって理解することができる。誘導電子は後方散乱(エッジ状態と同様に)の有無で完全に伝達するという事実から,量子化された抵抗の値を解析的に予測することができ,それらは著者らの数値(強束縛)法で得られた抵抗データと一致した。電子導波におけるこれらの洞察は他のサイドゲート配置のための抵抗を予測する上で,そしておそらく他のシステム形状に有用であろう,誘導状態の後方散乱がない限り。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相対論 ,  *グラフェン ,  量子化 ,  Landau準位 ,  電流密度 ,  外部磁場 ,  後方散乱 ,  非対称性
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  Hall抵抗 ,  電子輸送 ,  *量子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： グラフェン ,  量子H all効果

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ALL ,  量子輸送 ,  ゲート