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J-GLOBAL ID：201702232520383934   整理番号：17A0152172

Sn:(α-Si)複合材料のレーザアニーリング中のナノ結晶成長制御

Nanocrystals Growth Control during Laser Annealing of Sn:(α-Si) Composites

著者 (8件)： NEIMASH V. (Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  SHEPELYAVYI P. (Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  DOVBESHKO G. (Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  GOUSHCHA A. O. (Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  ISAIEV M. (Taras Shevchenko National Univ. Kyiv, Kyiv, UKR) ,  MELNYK V. (Inst. of Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR) ,  DIDUKH O. (Taras Shevchenko National Univ. Kyiv, Kyiv, UKR) ,  KUZMICH A. (Taras Shevchenko National Univ. Kyiv, Kyiv, UKR)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.7920238 (WEB ONLY)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温金属誘導ナノ結晶ケイ素作製のための効率的な方法を提出した。この方法はRaman法によるその場制御と監視を組合せた“非晶質ケイ素-スズ”薄膜のレーザアニーリングに基づく。レーザアニーリングはナノ結晶サイズと濃度の微細同調の可能性を与え,それらは光起電力と熱電素子作製のために重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *結晶成長 ,  *スズ ,  *アモルファスシリコン ,  *レーザアニーリング ,  半導体薄膜 ,  Raman分光法 ,  その場観察 ,  同調 ,  光起電素子 ,  熱電素子

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sn ,  Si ,  複合材料 ,  レーザアニーリング ,  ナノ結晶 ,  成長制御