文献

J-GLOBAL ID：201702232631194018   整理番号：17A1811061

窒化アルミニウム基板上のゲルマニウムにおける新規バンド構造

Novel band structures in germanene on aluminium nitride substrate

著者 (2件)： REN Miaojuan (Univ. Jinan, Shandong, CHN) ,  LI Mingming (Univ. Jinan, Shandong, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 9  ページ： 095201.1-095201.5  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウムは,従来の半導体基板上にエピタキシャル成長することは困難であり,ある程度のバンドギャップを開くこともまた重要な課題である。本研究では,第1原理計算を用いて,ゲルマニウム/窒化アルミニウムヘテロバイレイヤー(Ge/AlN HBL)の構造および電子特性を調べた。この結果は,ゲルマニウムのほぼ直線的なバンド分散を有するDiracコーンが,基板のバンドギャップ内にほぼ維持されていることを示している。非常に低い有効質量および高いキャリア移動度が達成され,ゲルマネンのバンドギャップを0.004から0.46eVに効果的に調整することができた。これらの結果は,室温で動作することができる効果的な電界効果トランジスタを設計するための可能な方法を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *ゲルマニウム ,  *バンド構造 ,  バンドギャップ ,  *計算 ,  結晶構造 ,  素子構造 ,  電子状態 ,  キャリア移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  ヘテロ構造 ,  Diracコーン ,  電界効果トランジスタ ,  *ゲルマネン

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (26件)：

• S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Akt?rk, H. ?ahin, and S. Ciraci, Phys. Rev. Lett. 102, 236804 (2009).
• M. Ezawa, New J. Phys. 14, 033003 (2012).
• C.-C. Liu, W. Feng, and Y. Yao, Phys. Rev. Lett. 107, 076802 (2011).
• M. Ezawa, Phys. Rev. Lett. 109, 055502 (2012).
• Y. Ding and Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 103, 043114 (2013).

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化アルミニウム ,  ゲルマニウム ,  バンド構造