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J-GLOBAL ID：201702232667245280   整理番号：17A1355030

二重フィールドプレートを用いた多指AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける減少した電流コラプス【Powered by NICT】

Reduced current collapse in multi-fingered AlGaN/GaN MOS-HEMTs with dual field plate

著者 (5件)： Yamaguchi R. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Suzuki Y. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Asubar J. T. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Tokuda H. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan) ,  Kuzuhara M. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, 910-8507, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMFEDK  ページ： 92-93  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるフィールドプレート(FP)による電流コラプスの抑制について述べた。電流崩壊の削減は,10mmの全ゲート幅を持つマルチゲート指MOS-HEMTで確認された。さらに,ゲートFPと源FP(二重FP)の両方を用いた5A級MOS-HEMT,ゲートFPのみ使用の場合に比べて,電流崩壊のより完全な抑制を示すを作製した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *HEMT ,  *電流
準シソーラス用語： マルチゲート ,  ゲート幅 ,  *電流コラプス ,  *AlGaN/GaN ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： フィールドプレート ,  多指 ,  AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  HEMT ,  電流コラプス