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J-GLOBAL ID：201702232733158794   整理番号：17A0457003

CMOSとCNFETを用いた低電力応用用の従来と新生相互接続の性能解析【Powered by NICT】

Performance analysis of conventional and emerging interconnects for low power applications using CMOS and CNFET

著者 (3件)： Turkane Satish M. (Department of Electronics & Telecommunication, Matoshri College of Engineering & Research Centre, Nashik, Savitribai Phule Pune University, Maharashtra, India) ,  Kureshi A.K. (Vishwabharti Academy’s College of Engineering, Ahmednagar, Savitribai Phule Pune University, Maharashtra, India) ,  Jade Anil P. (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Pravara Rural Engineering College, Loni Ahmednagar, Savitribai Phule Pune University, Maharashtra, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICACDOT  ページ： 662-666  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅相互接続の高抵抗率は,相互接続の全体長さで集積回路における膨張性deferと電力利用にもたらしている。本論文では,銅とカーボンナノチューブ(CNT)相互接続の性能を解析した。32nm技術ノードにおける回路の伝搬遅延と電力遅延積(PDP)を計算するために銅(Cu),単層CNT(SWCNT),多層CNT(MWCNT),および混合CNTバンドル(MCB)相互接続に組み込まれているCMOS,CNFETデバイス技術。シミュレーションは,HSPICEにおける運転者相互接続負荷(DIL)システムを用いて行った。CNFETドライバを用いた中間レベル相互接続のための,MCBは銅とSWCNT上の伝搬遅延の5.5倍と12.9倍の減少を示すことが分かった。同様に大域的レベルでは,伝搬遅延の減少はそれぞれCuとSWCNTの相互接続上のMCBの6.6×と11.1×である。CNFETドライバを利用して,銅は5.8×を示し,MWCNTは9.8×を示し,CMOSドライバに組み込まれた銅,MWCNTとMCB相互接続と比較した場合,MCBは局所的(1μm)相互接続レベルでPDPにおける8倍減少を示した。シミュレーション結果から,CMOS技術を活用すれば,SWCNTは局所レベル相互接続のための適切なMWCNTとMCBは中間と大域的相互接続のための合理的な最良であるが,CNFETドライバを活用すれば,MCBとMWCNTは,銅相互接続技術に比べて全ての内部接続レベルに適していることを結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相互接続 ,  多層カーボンナノチューブ ,  集積回路 ,  多層 ,  *性能分析 ,  シミュレーション ,  銅 ,  単層カーボンナノチューブ ,  電気抵抗率 ,  *CMOS
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  HSPICE ,  電力遅延積 ,  伝搬遅延 ,  *CNTFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  CNFET ,  低電力 ,  応用 ,  相互接続 ,  性能解析