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J-GLOBAL ID:201702232791983766   整理番号:17A0809239

高効率で1000Wの半導体レーザダイオードアレイを作製した。【JST・京大機械翻訳】

High Efficiency CW 1 000 W Semiconductor Laser Stack Array
著者 (6件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 340-343  発行年: 2010年 
JST資料番号: C2378A  ISSN: 1003-353X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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低圧MOCVD技術により成長させたGAINAS/ALGAAS歪量子井戸構造材料の構造設計を行い、低圧MOCVD技術を用いて3インチ(75MM)レーザーレーザを成長させた。次に,976NMの高出力熱抵抗連続レーザチップを設計し,製作した。高出力マイクロチャネルヒートシンクを,高熱伝導率の酸素材料を用いて設計し製作し,そして,976NMの連続レーザダイオードアレイを,INはんだチップによって製作した。20°Cの水冷条件下で,入力電流120A,動作電圧1.51V,出力パワー118W,電気光学変換効率は約65%であった。マイクロチャネルアレイを10個のマイクロチャネルアレイにより作製し,連続1000Wマイクロチャネルアレイを作製した。20°Cの水冷条件の下では,入力電流120A,出力パワーは1130W,動作電圧1.45V,電気光学変換効率は約65%であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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生物物理的研究法 
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