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J-GLOBAL ID：201702232868479611   整理番号：17A1774204

電力アナログ応用におけるSiC MOSFETトランジスタ【Powered by NICT】

SiC mosfet transistors in power analog application

著者 (1件)： Mysinski Wojciech (CRACOW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, Faculty of Electrical and Computer Engineering Krako ́w, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーMOSFETトランジスタの特性は年間知られて,文献に広範囲に記述されて。SiCトランジスタとダイオードの新世代が開発されている。電力MOSFETトランジスタは主にそのようなトランジスタは,制御されたスイッチとして動作パワーエレクトロニクス用途で使用されている。この場合,装置設計技術者は電流と電圧パラメータに注意,デバイスを横切る電圧降下とトランジスタスイッチング速度などに焦点を当てた。Si MOSFETトランジスタはまた時々アナログ電力応用,例えば信号増幅器(音響増幅器),電子電流源または電子負荷で使用されている。本論文では,4Aまでの容量を持つ電流源中のSiC MOSFETトランジスタの応用例を述べた。Si MOSFETトランジスタとSiC MOSFETに基づく電流源回路の静的および動的特性間の比較した。記事は,また,実際の回路で行われた実験室試験について述べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチ ,  *トランジスタ ,  *アナログ系 ,  パワーエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  増幅器 ,  *MOSFET ,  *電力 ,  電流 ,  電圧 ,  ダイオード ,  電圧降下
準シソーラス用語： 電流源 ,  スイッチング速度 ,  パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： アナログ ,  応用 ,  SiC ,  MOSFETトランジスタ