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J-GLOBAL ID：201702232880759698   整理番号：17A0550237

GeO₂/Si界面におけるGeとSiの交換反応

Atomic exchange between Ge and Si at GeO₂/Si interface

著者 (2件)： SONG Woojin (Univ. of Tokyo) ,  TORIUMI Akira (Univ. of Tokyo)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-413-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *CMOS ,  *半導体材料 ,  *ゲート【半導体】 ,  *酸化ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *界面 ,  還元 ,  析出 ,  交換反応
準シソーラス用語： *SiGe ,  *ゲートスタック ,  *シリコン

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  界面 ,  Ge ,  交換反応