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J-GLOBAL ID：201702232917535331   整理番号：17A1254720

自由Ti/TiO_2~ RRAM素子の形成における多準位抵抗スイッチングの実験とシミュレーション【Powered by NICT】

Experiments and simulation of multilevel resistive switching in forming free Ti/TiO_2-x RRAM devices

著者 (5件)： Bousoulas P. (Department of Applied Physics, National Technical University of Athens, Heroon Polytechniou 9, 15780, Greece) ,  Giannopoulos I. (Department of Applied Physics, National Technical University of Athens, Heroon Polytechniou 9, 15780, Greece) ,  Asenov P. (Department of Applied Physics, National Technical University of Athens, Heroon Polytechniou 9, 15780, Greece) ,  Karageorgiou I. (Department of Applied Physics, National Technical University of Athens, Heroon Polytechniou 9, 15780, Greece) ,  Tsoukalas D. (Department of Applied Physics, National Technical University of Athens, Heroon Polytechniou 9, 15780, Greece)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 172-175  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップ電極としてTi(4 nm)を用いたフリー抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の形成に高い多レベル抵抗スイッチングを報告した。は少なくとも六レベル抵抗状態はメモリセルまたはコンプライアンス電流に及ぼす印加電圧パルスの振幅を変化させることにより得られた,優れた抵抗均一性と保持能力を示すことができたことを示した。抵抗スイッチング機構は主に酸素空格子点から成ることを導電性フィラメント(CF)の生成/溶解と関連していると信じられているが,漸進的移行がトラップ支援伝導モデルの発現を示した。DC走査中にSET(約50mW)とRESET(約50μW)プロセスの両方で記録された低電力抵抗スイッチングが,パルス電圧でも低電力は100nsスイッチング期間(それぞれ0.4mWと30nW)達成された。スイッチング効果の起源について詳細に述べるために数値的アプローチも提示した。室温作製プロセスと結合した自己整流特性は,筆者らの装置は将来の高密度クロスバーメモリアレイ応用のための魅力的なものとする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コンプライアンス ,  *スイッチング ,  保持容量 ,  電流 ,  スイッチ効果 ,  パルス ,  整流 ,  記憶素子
準シソーラス用語： パルス電圧 ,  低電力化 ,  導電性フィラメント ,  酸素空格子点 ,  印加電圧 ,  *抵抗スイッチング ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  RRAM ,  抵抗スイッチング ,  実験 ,  シミュレーション