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J-GLOBAL ID：201702232930180985   整理番号：17A1046945

種々の基板上への酸化バナジウム薄膜の合成とキャラクタリゼーション

Synthesis and characterization of vanadium oxide thin films on different substrates

著者 (5件)： PAKMA Osman (Univ. Batman, Batman, TUR) ,  OEZAYDIN Cihat (Univ. Batman, Batman, TUR) ,  OEZDEN Sadan (Mugla Sitki Kocman Univ., Mugla, TUR) ,  KARIPER I. Afsin (Univ. Erciyes, Kayseri, TUR) ,  GUELLUE OEmer (Univ. Batman, Batman, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 15  ページ： 10909-10913  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,簡単で経済的な方法である湿式化学合成を用いて,バナジウム酸化物の誘導体V₈O₁₅を平坦グラス,インジウムスズ酸化物(ITO)及びシリコンウエハ基板層上に作製した。X線回折(XRD)測定結果から,ITO表面上の膜構造は,アモルファスと観察されるが,ガラスサブ層上に観察される構造は,三斜晶系構造のV₅O₉(PDF:18-1450)であり,Si基板上の構造は,角度が僅かずれているにも関わらず高い強度を持つ3つの連続ピークを持つV₈O₁₅である。文献によれば,V₅O₉及びV₈O₁₅の形における酸化バナジウムは観察されたことはなかった。付け加えるとAl/VO_x/p-Si(MOS)電子デバイス構造がV₈O₁₅から得られた。周波数に依存する容量-電圧特性測定から,この構造の界面準位(N_ss)を室温で決定した。N_ss値は,印加周波数に依存することが観察された。その上,Al/VO_x/p-SiのN_ss値は,SiO₂及びSnO₂によるMOS構造のものよりも低かった。その結果,V₈O₁₅を用いた電子デバイスは,多くの酸化MOSデバイスの代替となり得ると考えられる。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *キャラクタリゼーション ,  薄膜 ,  酸化バナジウム ,  基板 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  容量電圧特性 ,  周波数依存性 ,  表面準位 ,  *化学合成 ,  非晶質 ,  三斜晶系
準シソーラス用語： アモルファス ,  界面準位

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化バナジウム ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション