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J-GLOBAL ID：201702232950268031   整理番号：17A1275785

薄い基板上の3パス5~6GHz,0.25μm SiGe BiCMOS電力増幅器【Powered by NICT】

3-Path 5-6 GHz 0.25 μm SiGe BiCMOS power amplifier on thin substrate

著者 (6件)： Ozbek Sefa (Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany) ,  Digel Johannes (Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany) ,  Grozing Markus (Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany) ,  Berroth Manfred (Institute of Electrical and Optical Communications, Engineering (INT), University of Stuttgart, Germany) ,  Alavi Golzar (Institute of Nano- and Microelectronic Systems (INES)) ,  Burghartz Joachim N. (Institute of Nano- and Microelectronic Systems (INES))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PRIME  ページ： 49-52  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フレキシブルな電子箔システムに埋め込まれたのを意図した薄いシリコン基板上の差動電力増幅器(DPA)完全に統合されたクラスAモードを提示した。高速で費用対効果に優れた95GHz f_max,0.25μm SiGe:C技術(IHPプロセスSGB25V)を用いた。DPAのRF性能を金型レベルで前間伐後の測定結果を用いて評価した。PAの挙動は5~6GHz周波数帯のための最適化したおよび間伐前後の5.5GHzで 10.85dBと10dBの小信号利得を達成した。P_in0dBmで増幅器の大信号利得は10dBと薄化プロセス後に9.4dBであった。参照1dB圧縮点シミュレーション出力は15%のPAEを持つ10.76dBmである。PAは,1.5V電源電圧のもとで50mAを消費する。薄化プロセス後,供給電流は3mAで低下した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  高速度 ,  電流 ,  最適化 ,  *電力増幅器 ,  小信号利得 ,  シミュレーション ,  間伐 ,  *増幅器 ,  周波数帯
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  大信号 ,  費用対効果 ,  シリコンウエハ ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： パス ,  SiGe ,  BiCMOS ,  電力増幅器