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J-GLOBAL ID：201702232978828384   整理番号：17A1802261

エピタキシャルLa_2/3Sr_1/3MnO₃薄膜におけるゲート同調可能スピン-軌道結合と弱い反局在化効果

Gate tunable spin-orbit coupling and weak antilocalization effect in an epitaxial La_2/3Sr_1/3MnO₃ thin film

著者 (5件)： CHIU Shao-Pin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YAMANOUCHI Michihiko (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OYAMADA Tatsuro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OHTA Hiromichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LIN Juhn-Jong (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 96  号： 8  ページ： 085143.1-085143.7  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *マンガン酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  *薄膜 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  *局在状態 ,  *磁気抵抗 ,  エピタクシー ,  ペロブスカイト型結晶 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *Anderson局在 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板
準シソーラス用語： スピン・軌道結合 ,  *マンガン酸ランタンストロンチウム ,  反局在 ,  弱局在

分類 (4件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  ゲート ,  同調 ,  スピン-軌道結合 ,  反局在