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J-GLOBAL ID:201702233002375173   整理番号:17A0398718

不揮発性メモリ応用のための電荷捕獲中心としてのアンモニアプラズマ官能化グラフェンナノディスクの統合【Powered by NICT】

Integration of ammonia-plasma-functionalized graphene nanodiscs as charge trapping centers for nonvolatile memory applications
著者 (16件):
資料名:
巻: 113  ページ: 318-324  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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不揮発性メモリ応用のための電荷捕獲サイト(CTSs)として,NH_3プラズマを用いて官能化したグラフェンナノディスク(GND)を研究した。作製プロセスはAuナノ粒子(Au NPs)のパターン形成,その厚さはエッチングにGND密度とサイズを調整するために調整されるに依存している。8×10~11cm~ 2と直径約20nmの高いGND密度を達成した。NH_3プラズマによるGNDの官能化は,対話型システムとして作用するNH~+官能基を生成し,Raman及びFourier変換赤外分光法で観察された。は本質的にGNDsの対話型システムの密度を増強し,結果として,メモリウインドウは2.4V以上になると10~4運転サイクル後安定であった。電荷損失は10年間データ保持試験のための10%以下であり,この低温プロセスはフレキシブル基板上に低コスト不揮発性メモリ応用に適している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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