大面積MoS_2とWS_2van der Waalsエピタキシャル薄膜における圧縮歪とフォノンモードの基板誘起同調【Powered by NICT】

Sahu Rajib; Radhakrishnan Dhanya; Vishal Badri; Negi Devendra Singh; Sil Anomitra; Narayana Chandrabhas; Datta Ranjan

文献

J-GLOBAL ID：201702233099212612 整理番号：17A0993063

大面積MoS_2とWS_2van der Waalsエピタキシャル薄膜における圧縮歪とフォノンモードの基板誘起同調【Powered by NICT】

Substrate induced tuning of compressive strain and phonon modes in large area MoS₂ and WS₂ van der Waals epitaxial thin films

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0993063&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0993063&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 470 ページ： 51-57 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

単分子層を含む層の数をコントロールすることによる大面積MoS_2とWS_2van der Waalsエピタキシャル薄膜は,より遅い成長速度を利用したパルスレーザ蒸着により成長させた。c面サファイア上に成長させた膜は両MoS_2とWS_2の層の数の減少と共にA_1gとE~1_2gフォノンモードの硬化を示した。観察された硬化は基本的な直接バンドギャップの増加に伴って,0.52%と0.53%の圧縮歪に1.74と1.68eVに単分子層MoS_2とWS_2であった。歪は層の数とともに低下した。HRTEMイメージングは直接基板と関連した圧縮歪とのvan der Waals層の原子登録の性質を明らかにした。結果は,大面積デバイス作製上の材料のこのクラスのための歪を安定化し,設計するための実用的な方法を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , ,
, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： , , , ,

半導体薄膜

, , , , , ,

前のページに戻る