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J-GLOBAL ID：201702233122773471   整理番号：17A1143519

最新鋭ハイパワー・トランジスタSiCの実験〈最終回〉最高効率99%超!5kWインバータの製作

著者 (1件)： 大嶽浩隆
資料名： トランジスタ技術
巻： 54  号： 10  ページ： 162-169  発行年： 2017年10月01日 
JST資料番号： L3911A  ISSN： 0040-9413  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,SiCハイパワー・トランジスタの応用として,効率99.0%を超えるインバータを製作したので紹介した。SiC MOSFET4個と Si MOSFET2個で構成している。SiC MOSFETとトランスリンク方式の出力回路を採用することで,高出力領域におけるパワー・トランジスタ導通損失とリアクトルの銅損を大きく減らすことができた。効率は最大99.3%で,広い出力範囲で99%以上が得られる。

シソーラス用語： *高電圧 ,  *炭化ケイ素 ,  電力トランジスタ ,  実験 ,  効率 ,  *インバータ ,  *ケイ素 ,  *IGBT ,  冷却 ,  フィン ,  熱抵抗 ,  チョークコイル ,  DC-DCコンバータ ,  磁束密度
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  フルブリッジ ,  昇圧コンバータ ,  飽和磁束密度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハイパワー ,  トランジスタ ,  SiC ,  実験 ,  インバータ ,  製作