文献

J-GLOBAL ID：201702233184785879   整理番号：17A1097902

触媒モノリス反応器における上流クリープ反応帯の解析【Powered by NICT】

Analysis of upstream creeping reaction zones in catalytic monolith reactors

著者 (2件)： Gu Tian (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Balakotaiah Vemuri (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 317  ページ： 267-279  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリス反応器は触媒後処理システム(例えば,TWC,DOC,LNTとSCR)に広く用いられている。排ガス後処理における一つの主要な課題は,総排出量のかなりの割合を考慮した低温始動排ガスを低減することである。フロントエンド着火がモノリスの高いPGM負荷および/または過渡的加熱による技術的に可能であるが,経済的あるいは実現可能である,特に低排気ガス温度でない可能性がある。そのようなケースでは,バックエンド着火とそれに続く高速上流クリープ反応ゾーンは,低温始動排出量を削減するための実現可能な方法を提供する。本研究では,モデリング手法を用いて詳細に上流クリープ反応帯を調べた。クリープ速度に及ぼす種々の設計パラメータ(例えば固体熱伝導率と熱容量)と運転条件(ガス速度,入口温度/濃度)の影響を決定し,要約した。上流クリープへの反応ゾーンの相図と分析基準も提示した。相図と基準は後処理システムで使用される反応器の設計と制御のための指針を提供することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデリング ,  *クリープ ,  熱容量 ,  *触媒 ,  クリープ速度 ,  排ガス ,  *反応器 ,  後処理 ,  状態図 ,  高速度 ,  熱伝導率 ,  排出量
準シソーラス用語： 運転条件 ,  低温始動 ,  *モノリス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 触媒後処理 ,  モノリス反応器 ,  コールドスタート ,  クリーピング反応帯 ,  温度前線

分類 (2件)： 反応装置  (XE01030X) ,  触媒操作  (XE01050T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 触媒 ,  モノリス ,  反応器 ,  上流 ,  クリープ ,  反応帯 ,  解析