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J-GLOBAL ID：201702233196428992   整理番号：17A0370124

シリコン太陽電池のSchottky型エッジ不動態化【Powered by NICT】

Schottky-type edge passivation of silicon solar cells

著者 (4件)： Choi Jaeho (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Parida Bhaskar (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Palei Srikanta (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Kim Keunjoo (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 20-25  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Agナノドットを用いたSi太陽電池のSchottky型エッジ不動態化と曲線因子を改善することにより,セル変換効率の増強を検討した。光電流の終端のためのしきい値電圧はエッジ不動態化なし参照試料に比べて約0.13V増加した。pn接合空乏領域の断面は空間の空乏層におけるAg/Si Schottky接触と幅が約28nmの鏡像電荷を形成した。しかし,pおよびn電極は,キャリアトンネル過程のための5nm以下の接触空乏幅とOhm接触を形成した。エッジSchottky接触は,周囲の端部領域でのキャリア再結合と飽和電流を減少させると増加したシャント抵抗と充填因子とpn接合特性を増強し,金属エッジ不動態化は,大規模なSi太陽電池製作のための重要なプロセスであることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア再結合 ,  PN接合 ,  ケイ素 ,  Ohm接触 ,  光電流 ,  *不動態化 ,  空乏層 ,  *太陽電池 ,  銀
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  Schottky接触 ,  閾値電圧 ,  変換効率 ,  曲線因子 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Si太陽電池 ,  エッジ不動態化 ,  Agナノドット ,  Schottky障壁

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン太陽電池 ,  エッジ ,  不動態化