文献

J-GLOBAL ID：201702233199631284   整理番号：17A0020658

低コスト単一井戸1mm~2CMOS太陽電池から最大電力の描画【Powered by NICT】

Drawing the Most Power From Low-Cost Single-Well 1-mm² CMOS Photovoltaic Cells

著者 (2件)： Prabha Rajiv Damodaran (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Rincon-Mora Gabriel A. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 64  号： 1  ページ： 46-50  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽光発電(PV)電池は,運動,放射および熱から他の変換器よりも光から100×より多くの電力を生成することができる。カスタム多重接合非ケイ素とマルチウェル相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)細胞はより多くの電力を出力が,単一井戸プロセス技術は低コスト。非晶質細胞はそれ以下のコストが出力より少ない電力。しかし,光利用可能な,小さなCMOSセルの小さな窓はほとんど出力する。は文献における競合する低コストCMOSセルよりもより多くの電力を出力する開放端単一井戸CMOS PV電池構成を探究し提案した。波長0.35μmの1×1mm~2単一井戸CMOSセルによる測定は深く,軽いドープ接合は浅い接合より高い電力を生成し,二重接合配置はさらに高い出力を発生させることを示した。これはP基板細胞6と98μWを出力するにおける井戸とP基板構造におけるN井戸中の短絡および開放端P~+に及ぼすP基板とNのN~+に及ぼす太陽光は132μWを出力する理由である。,光を遮断する,P~+金属が必要長くないためP~+末端を開くもより多くの電力を出力する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 太陽光発電 ,  非晶質 ,  *電池 ,  太陽光 ,  波長 ,  変換器 ,  ドーピング ,  *電力 ,  *太陽電池 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 浅い接合 ,  多重接合 ,  描画 ,  *ピーク電力 ,  *ローコスト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 移動通信  (ND08030H) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 井戸 ,  太陽電池 ,  最大電力 ,  描画