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J-GLOBAL ID：201702233325215869   整理番号：17A0900425

イットリウムドープBiFeO₃-PbTiO₃電子システムの誘電分散とインピーダンス分光

Dielectric dispersion and impedance spectroscopy of yttrium doped BiFeO₃-PbTiO₃ electronic system

著者 (5件)： PRADHAN S.K. (Siksha ‘O’ Anusandhan Univ., Bhubaneswar, IND) ,  DAS S.N. (Siksha ‘O’ Anusandhan Univ., Bhubaneswar, IND) ,  HALDER S. (Siksha ‘O’ Anusandhan Univ., Bhubaneswar, IND) ,  BHUYAN S. (Siksha ‘O’ Anusandhan Univ., Bhubaneswar, IND) ,  CHOUDHARY R.N.P. (Siksha ‘O’ Anusandhan Univ., Bhubaneswar, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 13  ページ： 9627-9633  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イットリウム(Y³⁺)を化学的にドーピングすることによって,マルチフェロイックビスマスフェライト(BFO;BiFeO₃)とチタン酸鉛(PT;PbTiO₃)電気セラミックスの誘電分散とインピーダンス分光を変化させた。X線回折パターンから得られた一次構造解析から,材料の正方晶構造が明らかになる。得られた微細構造から,表面が密な粒子によって詰め込まれていることが分る。インピーダンス特性から,調製した材料における粒子(バルク)と粒子境界効果の存在及び抵抗の負温度係数(NTCR)の存在が分る。モジュラス解析から,合成電子材料は,非Debye型の伝導緩和に留まることが指摘される。全ての試料の交流伝導率は,低温領域において,周波数の増加と共に増加する。電子システム(BFO-PT)にイットリウムをドーピングすることによって,この電子材料は,デバイス応用の有望な競争者になる可能性がある。

シソーラス用語： *複合材料 ,  *複素誘電率 ,  分散関係 ,  *電気化学インピーダンス ,  ビスマス化合物 ,  フェライト ,  鉄化合物 ,  チタン酸鉛 ,  イットリウム ,  ドーピング ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  誘電率 ,  損失正接 ,  温度依存性 ,  周波数依存性 ,  Nyquist線図 ,  等価回路 ,  電気伝導率 ,  強誘電体 ,  磁性体 ,  正方晶系 ,  微細構造 ,  温度係数
準シソーラス用語： ビスマスフェライト ,  マルチフェロイック ,  誘電分散

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (7件)： イットリウム ,  ドープ ,  BiFeO3 ,  電子システム ,  誘電分散 ,  インピーダンス ,  分光