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J-GLOBAL ID：201702233344205227   整理番号：17A1637062

14~31GHz,1.25dB NFエンハンスメントモードGaAs pHEMT低雑音増幅器【Powered by NICT】

A 14-31 GHz 1.25 dB NF enhancement mode GaAs pHEMT low noise amplifier

著者 (4件)： Nguyen Duy P. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA) ,  Pham Binh L. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA) ,  Pham Thanh (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA) ,  Pham Anh-Vu (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 1961-1964  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.15μmエンハンスメントモード(Emode)ひ化ガリウム(GaAs)仮像高電子移動度トランジスタ(pHEMT)プロセスで製作した広帯域低雑音増幅器(LNA)を報告した。lnaはソース変性とともに広いバンド幅にわたって,低雑音指数(NF)を達成するために,抵抗フィードバックネットワークを採用した。実験結果は,30dBの最大利得を示し,14~31GHz,25dB以上を維持することを示した。測定された最小NFは 17.5dBm出力1dB圧縮点(OP1)と28.5dBmの出力3~次インターセプト点(OIP3)1.25dBであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音指数 ,  *ヒ化ガリウム ,  *低雑音増幅器 ,  利得 ,  仮像 ,  帯域幅 ,  広帯域 ,  *HEMT
準シソーラス用語： *PHEMT ,  *エンハンスメントモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： エンハンスメントモード ,  GaAs ,  PHEMT ,  低雑音増幅器