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J-GLOBAL ID：201702233407977426   整理番号：17A0759424

垂直GaNバイポーラ素子:光子リサイクリングからの獲得競争優位性【Powered by NICT】

Vertical GaN bipolar devices: Gaining competitive advantage from photon recycling

著者 (2件)： Mochizuki Kazuhiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Central 2-13, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan) ,  Mochizuki Kazuhiro (Center for Technology Innovation-Electronics, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji 185-8601, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600489  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 末梢電流I_pは非自己整合メサ型p-nダイオードにおける流れがGaNダイオードを流れるI_pは固有の光子リサイクリング(IPR)と関連した伸長した少数キャリア寿命,すなわち,放射再結合の再吸収では説明できないことを示した。外因的光子リサイクル(EPR)による深いMgアクセプタ(エネルギー準位:E_A)の比の増加の可能性を提案し,EPRの効果は有効E_Aとして表現される。半導体パッケージの電力消費の限界のために,EPRは零オフセットバイポーラ接合トランジスタの1例,ベースドーピングレベルはエミッタ注入効率の点で制限されているに力を発揮している。非セルフアラインメサ型GaNp-nダイオードの測定およびシミュレートされた順方向電流電圧特性。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダイオード ,  電流電圧特性 ,  マグネシウム ,  電流 ,  電力消費 ,  *窒化ガリウム ,  アクセプタ ,  自己整合 ,  オフセット ,  *光子 ,  エネルギー準位 ,  メサ構造 ,  バイポーラトランジスタ ,  *リサイクル ,  放射再結合 ,  *利用 ,  *再利用

著者キーワード (4件)： バイポーラ素子 ,  GaN ,  光子リサイクル ,  垂直デバイス

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 垂直 ,  GaN ,  バイポーラ ,  光子 ,  リサイクリング ,  獲得 ,  競争優位性