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J-GLOBAL ID：201702233462106209   整理番号：17A1347490

AlOx/SiNxの開発と特性化:表面不動態化と局所レーザドーピングのためのB層システム【Powered by NICT】

Development and Characterization of AlOx/SiNx :B Layer Systems for Surface Passivation and Local Laser Doping

著者 (11件)： Norouzi Mohammad H. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany) ,  Saint-Cast Pierre (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany) ,  Jaeger Ulrich (RENA Technologies GmbH, Guetenbach, Germany) ,  Steinhauser Bernd (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany) ,  Benick Jan (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany) ,  Buechler Andreas (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany) ,  Bitnar Bernd (SolarWorld Innovations GmbH, Freiberg, Germany) ,  Palinginis Phedon (SolarWorld Innovations GmbH, Freiberg, Germany) ,  Neuhaus Holger (SolarWorld Innovations GmbH, Freiberg, Germany) ,  Wolf Andreas (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany) ,  Hofmann Marc (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Freiburg, Germany)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 5  ページ： 1244-1253  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,不動態化エミッタ及び背面局所的拡散(PERL)太陽電池の概念を用いてp型単結晶シリコン太陽電池の背面特性を改善することを目指した。背面構造を実現するために,いわゆるPassDopアプローチは表面不動態化と局所ドーピングの両方を組み合わせ使用した。概念は多機能,ドープしたAlO_x/SiN_x:B層スタックを利用する局在構造化はレーザ工程による局所的接触開口とドーピングによって達成される。AlO_x/SiN_x:B PassDop層を用いて,不動態化面積で焼成後に達成された4cm/s以下の優れた有効表面再結合速度S_eff。PassDop層中のホウ素濃度はS_effに有意な影響を示さなかった。レーザドーピングは1×10~20cm~ 3に近い20以下Ω/sqと表面ドーピング濃度のシート抵抗によるシリコン中の高濃度ドープ領域をもたらした。,計算は,レーザドープした領域での飽和電流密度は線状接触構造のための900fA/cm~2程度の低さであることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造形成 ,  *集積層 ,  ホウ素 ,  *キャラクタリゼーション ,  *レーザ ,  *不動態化 ,  シート抵抗 ,  太陽電池 ,  ケイ素 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  飽和電流密度 ,  表面再結合速度 ,  結晶シリコン太陽電池 ,  *レーザドーピング ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 開発 ,  特性化 ,  表面不動態化 ,  レーザドーピング ,  B層